產品描述：FDG332PZ

FDG332PZ：-20V P溝道PowerTrench®MOSFET
此P溝道MOSFET采用飛兆先進的低壓PowerTrench®工藝生產。它已針對電池的電源管理應用進行了優化。

產品特性：FDG332PZ
最大rDS（on）=95mΩ（VGS = -4.5V，ID = -2.6A）
最大rDS（on）=115mΩ（VGS = -2.5V，ID = -2.2A）
最大rDS（on）=160mΩ（VGS = -1.8V，ID = -1.9A）
最大rDS（on）=330mΩ（VGS = -1.5V，ID = -1.0A）
極低的柵極驅動要求允許在1.5V電路中運行
非常小的封裝尺寸SC70-6
符合RoHS標準

應用：FDG332PZ
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

制造商:FDG332PZ
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-323-6
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
2.6 A
Rds On-漏源導通電阻:
95 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
750 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.1 mm
長度:
2 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDG332PZ
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
1.25 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
下降時間:
4.8 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
4.8 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
59 ns
典型接通延遲時間:
5.2 ns
單位重量:
28 mg