產品描述：FDC610PZ

FDC610PZ：-30V P溝道PowerTrench®MOSFET
此溝道MOSFET采用Fairchild先進的PowerTrench®工藝生產，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態電阻同時仍保持低柵極電荷以獲得卓越開關性能而定制的。這些器件非常適合電池供電應用 ：負載開關和功率管理，電池充電電路和DC / DC轉換。

產品特性：FDC610PZ
最大rDS（on）=42mΩ（VGS = -10 V，ID = -4.9 A）
最大rDS（on）=75mΩ（VGS = -4.5 V，ID = -3.7 A）
低柵極電荷（典型值17 nC）。
高性能溝道技術可實現極低的rDS（上）。
SuperSOT™-6封裝：小尺寸（比標準SO-8小72％）;薄型（1毫米厚）。
符合RoHS標準
應用
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

制造商:FDC610PZ
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-6
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
4.9 A
Rds On-漏源導通電阻:
58 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
25 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.6 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.1 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDC610PZ
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
1.6 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
15 S
下降時間:
4 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
4 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
33 ns
典型接通延遲時間:
7 ns
單位重量:
30 mg