產品描述：FDC6401N

FDC6401N：雙N溝道2.5V規格PowerTrench®MOSFET
該雙N溝道MOSFET特別為提高DC / DC轉換器的整體效率而設計，采用同步或傳統開關脈寬調制（PWM）控制器。已針對低柵極電荷，低rDS（ON）和高速開關進行了優化。

產品特性：FDC6401N
3.0 A，20 V
RDS（ON）=70mΩ@ VGS = 4.5 V.
RDS（on）=95mΩ@ VGS = 2.5 V.
低柵極電荷
高性能溝道技術可實現極低的RDS（ON）
高功率和高電流處理能力
應用
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

制造商:FDC6401N
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-6
通道數量:
2 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
3 A
Rds On-漏源導通電阻:
70 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
12 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
960 mW
配置:
Dual
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.1 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDC6401N
晶體管類型:
2 N-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.6 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
10 S
下降時間:
7 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
7 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
13 ns
典型接通延遲時間:
5 ns
零件號別名:
FDC6401N_NL
單位重量:
36 mg