深圳市大唐盛世半導體有限公司

手 機：17727572380（程R) 。13008842056(張R）

電 話：0755-83226739

Q Q:626839837。3160836686

IGN2729M250C ： S波段雷達晶體管。公司優勢庫存。

S波段雷達晶體管
IGN2729M250C是內部預先匹配的氮化鎵
（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 這部分是
為運行在2.7以上的S波段雷達應用而設計–
2.9 GHz瞬時頻帶。 300us以下/ 10％脈沖
條件下，它提供至少250瓦的峰值輸出
功率通常為10dB。 該設備的額定功率為250W，10％
占空比工作（PAVG = 25W）。 指定的操作與類
AB偏見。 如果額定值合適，它可以在很寬的范圍內工作
脈沖寬度和占空比的范圍。 所有設備都是100％
以固定的頻率篩選大信號RF參數
寬帶匹配電路/測試夾具。 篩選期間不允許使用外部調諧器。
碳化硅FET上的GaN
大功率增益
優異的熱穩定性
Metal黃金金屬
耗盡模式設備
Gate柵極偏置的負電壓
Required需要偏置排序
請參閱應用筆記以防止
損傷
金金屬系統
完整的黃金系統
Bond金焊絲
Package金裝金屬
最大可靠性
AB類操作
AB指定AB偏差
內部阻抗匹配
易于使用
Low超低損耗設計
BeO免費套餐
金屬基
環氧密封
大功率射頻測試/夾具
寬帶
匹配50Ω）
長期相關
100％設備RF屏蔽
無需外部調音

公司優勢庫存：

IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
IGN1011M400
IGN1011M600
IGN1011M800
IGN1011L1000
IGN1011L1200
IGN1030M40
IGN1030M800
IGN1030L800
IGN1030L1000
IGN1090M800
IGN0912L45
IGN0912CW300
IGN0912L500

ILD1012S500HV
ILD1011M15HV
ILD1011L20HV
ILD1011L200HV
ILD1011M275HV
ILD1011M550HV
ILD1011L950HV
ILD1011M1000HVC
ILD1011M160HV
ILD1011M280HV
ILD0912M15HV
ILD0912M60
ILD0912M150HV
ILD0912M400HV
IB450S300
IB450S500
IB0607S100
IB0607S1000
IB0912L30
IB0912L70
IB0912M70
IB0912L200
IB0912M210
IB0912M350
IB0912M500
IB0912M600
IB1012S10
IB1012S20
IB1012S50
IB1012S150
IB1012S500
IB1012S800
IB1012S1100
IB1011M10
IDM175CW300
IDM500CW200
IDM500CW300
IDM30512CW20
IDM30512CW50
IDM30512CW100
IDM165L650
IDM265L650