深圳市大唐盛世半導體有限公司
手 機:17727572380(程R) 。13008842056(張R)
電 話:0755-83226739
Q Q:626839837。3160836686
IGN2932M75 : S波段雷達晶體管-GaN。公司優勢庫存。
S波段雷達晶體管-GaN
■SiC on HEMT技術上的GaN
■POUT-PK = 75W @ 100us / 10%/ 45V; (PAVG = 7.5瓦)
■2.90-3.15GHz瞬時工作頻率范圍
■內部阻抗預匹配器件
■耗盡模式設備
■需要負柵極電壓和偏置排序
■指定用于AB級操作下
■用陶瓷環氧蓋密封的金屬基包裝
■金金屬化系統:芯片-引線鍵合-封裝
■包裝尺寸:W = 0.800英寸(20.32毫米),L = 0.230英寸(5.84毫米)
■100%高功率射頻在寬帶射頻測試治具中測試
公司優勢庫存:
IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
IGN1011M400
IGN1011M600
IGN1011M800
IGN1011L1000
IGN1011L1200
IGN1030M40
IGN1030M800
IGN1030L800
IGN1030L1000
IGN1090M800
IGN0912L45
IGN0912CW300
IGN0912L500
ILD1012S500HV
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ILD1011L20HV
ILD1011L200HV
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ILD1011M1000HVC
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