深圳市大唐盛世半導體有限公司

手 機：17727572380（程R) 。13008842056(張R）

電 話：0755-83226739

Q Q:626839837。3160836686

IGN2732M10 ： S波段雷達晶體管-GaN。公司優勢庫存。

S波段雷達晶體管-GaN
■SiC on HEMT技術上的GaN
■POUT-PK = 10W @ 300us / 10％/ 40V； （PAVG = 1.0W）
■2.70-3.20GHz瞬時工作頻率范圍
■內部阻抗預匹配器件
■耗盡模式設備
■需要負柵極電壓和偏置排序
■指定用于AB級操作下
■用陶瓷環氧蓋密封的金屬基包裝
■金金屬化系統：芯片-引線鍵合-封裝
■包裝尺寸：W = 0.800英寸（20.32毫米），L = 0.230英寸（5.84毫米）
■100％高功率射頻在寬帶射頻測試治具中測試

公司優勢庫存：

IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
IGN1011M400
IGN1011M600
IGN1011M800
IGN1011L1000
IGN1011L1200
IGN1030M40
IGN1030M800
IGN1030L800
IGN1030L1000
IGN1090M800
IGN0912L45
IGN0912CW300
IGN0912L500

ILD1012S500HV
ILD1011M15HV
ILD1011L20HV
ILD1011L200HV
ILD1011M275HV
ILD1011M550HV
ILD1011L950HV
ILD1011M1000HVC
ILD1011M160HV
ILD1011M280HV
ILD0912M15HV
ILD0912M60
ILD0912M150HV
ILD0912M400HV
IB450S300
IB450S500
IB0607S100
IB0607S1000
IB0912L30
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IB1012S20
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IB1012S150
IB1012S500
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IB1011M10
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IDM500CW300
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