描述：IRF7201TRPBF
寬SOA的平面單元結構針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
硅經過優化，適用于低于100KHz的應用切換
工業標準表面貼裝電源套件
能夠波峰焊
30V狹窄N通道HEXFET功率MOSFET，采用SO-8封裝
優勢：IRF7201TRPBF
符合RoHS
低RDS（上）
具有一流先進的品質
動態的dv / dt額定值
快速開關
完全雪崩額定值
175°C的工作溫度
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 7.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 30 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 19 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.9 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 5.8 S
下降時間: 19 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 35 ns
工廠包裝數量: 4000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 21 ns
典型接通延遲時間: 7 ns
單位重量: 506.600 mg
