描述：IRFZ44NSTRLPBF
采用D2-Pak封裝的55V單N溝道HEXFET功率MOSFET


好處：IRFZ44NSTRLPBF
寬SOA的平面單元結構
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
硅經過優化，適用于低于100kHz的開關應用
工業標準表面貼裝電源套件
高電流承載能力封裝（高達195 A，取決于芯片尺寸）
能夠波峰焊


好處：IRFZ44NSTRLPBF
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
針對10 V柵極驅動電壓進行了優化（稱為正常水平）
工業標準表面貼裝電源套件
高電流承載能力封裝（高達195 A，取決于芯片尺寸）
能夠波峰焊

IRFZ44NSTRLPBF

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續漏極電流: 49 A
Rds On-漏源導通電阻: 175 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 42 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標: Infineon / IR
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
單位重量: 550 mg