描述：IRFS4321TRLPBF
采用D2-Pak封裝的150V單N溝道HEXFET功率MOSFET


好處：IRFS4321TRLPBF
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
針對10 V柵極驅動電壓進行了優化（稱為正常水平）
工業標準表面貼裝電源套件
高電流承載能力封裝（高達195 A，取決于芯片尺寸）
能夠波峰焊

IRFS4321TRLPBF

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 85 A
Rds On-漏源導通電阻: 12 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 110 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 350 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon / IR
正向跨導 - 最小值: 130 S
下降時間: 35 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 60 ns
工廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 25 ns
典型接通延遲時間: 18 ns
單位重量: 4 g