描述：IRF9389TRPBF
30V正極N通道和P通道HEXFET功率MOSFET，采用SO-8封裝優勢：IRF9389TRPBF
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
超級邏輯電平：針對4.5 V柵極驅動電壓進行了優化，能夠提供2.5 V柵極驅動電壓
與高端配置中的N通道相比，降低了設計復雜度
與N通道的微控制器接口更簡單
行業標準的表面貼裝封裝
能夠波峰焊
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 6.8 A, 4.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 22 mOhms, 51 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.3 V
Qg-柵極電荷: 6.8 nC, 8.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商標名: HEXFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
系列: IRF939
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
寬度: 3.9 mm
商標: Infineon / IR
正向跨導 - 最小值: 8.2 S, 4.1 S
下降時間: 3.9 ns, 15 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.8 ns, 14 ns
工廠包裝數量: 4000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 4.9 ns, 17 ns
典型接通延遲時間: 5.1 ns, 8 ns
單位重量: 506.600 mg
