描述：IRF8915TRPBF
20V雙N通道HEXFET功率MOSFET，采用SO-8封裝優勢：IRF8915TRPBF
符合RoHS
低RDS（上）
經過充分驗證的雪崩電壓和電流
超低的二氧化碳濃度
雙N通道MOSFET
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 8.9 A
Rds On-漏源導通電阻: 21.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 4.9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 3.9 mm
商標: Infineon / IR
正向跨導 - 最小值: 12 S
下降時間: 3.6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
工廠包裝數量: 4000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 7.1 ns
典型接通延遲時間: 6 ns
單位重量: 506.600 mg
