描述：AO6401A

30V P溝道MOSFET
AO6401A使用先進的溝槽技術來
提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和運行
柵極電壓低至2.5V。這個裝置適合
用作負載開關或PWM應用。


產品概要：AO6401A
VDS
ID（在VGS = -10V時）-5A
RDS（ON）（在VGS = -10V時）<47mΩ
RDS（ON）（在VGS = -4.5V時）<64mΩ
RDS（ON）（在VGS = -2.5V時）<85mΩ


詳細參數：AO6401A
參數名稱參數值
是否無鉛不含鉛不含鉛
是否Rohs認證符合符合
生命周期不推薦
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
零件包裝代碼
包裝說明GREEN，TSOP-6
針數6
達到合規性
ECCN代碼EAR99
風險等級8
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓30 V
最大電流（ID）5 A
最大漏源導通電阻0.047Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
最大反饋電容（Crss）80 pF
JESD-30代碼R-PDSO-G6
元件數量1
端子數量6
工作模式
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
暫未確定初始溫度（攝氏度）
極性/信道類型P-CHANNEL
表面貼裝是
端子形式鷗翼
端子位置DUAL
未指定處于初始溫度下的最極端
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON