描述：AO6602

30V互補MOSFET
AO6602使用先進的溝槽技術來提供
出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 的
互補MOSFET形成高速功率
逆變器，適合多種應用。


產品概要：AO6602
N通道P通道
VDS = 30V -30V
ID = 3.5A（VGS = 10V）-2.7A（VGS = -10V）
RDS（開啟）RDS（開啟）
<50mΩ（VGS = 10V）<100mΩ（VGS = -10V）
<70mΩ（VGS = 4.5V）<170mΩ（VGS = -4.5V）


詳細參數：AO6602
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期不推薦
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
達到合規性
風險等級8.57
Samacsys說明Trans MOSFET N / P-CH 30V 3.5A / 2.7A 6引腳TSOP T / R
最大電流（Abs）（ID）3.5 A
場效應管技術金屬氧化物半導體
JESD-609代碼e3
濕度敏感等級1
工作模式
最高工作溫度150°C
極性/信道類型N通道和P通道
最大功率耗散（Abs）1.15 W
子類別其他晶體管
表面貼裝是
端子面層Matte Tin（Sn）