描述：AO7401

30V P溝道MOSFET
AO7401使用先進的溝槽技術來
提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和
在低至2.5V的柵極電壓下工作
SOT363占位面積小。 可以廣泛使用
多種應用，包括負載切換，低
電流逆變器和低電流DC-DC轉換器。


產品概要：AO7401
VDS
ID（在VGS = -10V時）-1.4A
RDS（ON）（在VGS = -10V時）<115mΩ
RDS（ON）（在VGS = -4.5V時）<140mΩ
RDS（ON）（在VGS = -2.5V時）<200mΩ

詳細參數：AO7401
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期不推薦
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明SC-70，3 PIN
達到合規性
風險等級8.01
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓30 V
最大電流（ID）1.4 A
最大漏源導通電阻0.115Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
JESD-30代碼R-PDSO-G3
元件數量1
端子數量3
工作模式
最低工作溫度-55°C
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
暫未確定初始溫度（攝氏度）
極性/信道類型P-CHANNEL
表面貼裝是
端子形式鷗翼
端子位置DUAL
未指定處于初始溫度下的最極端
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON