描述：AO6802

30V雙N溝道MOSFET
AO6802使用先進的溝槽技術來
提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個
該設備適合用作負載開關或PWM
應用程序。


產品概要：AO6802
VDS
ID（在VGS = 10V時）3.5A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<50mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<70mΩ


詳細參數：AO6802
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明，
達到合規性
風險等級2.34
Samacsys說明MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
最大電流（Abs）（ID）3.5 A
場效應管技術金屬氧化物半導體
工作模式
最高工作溫度150°C
極性/信道類型N-CHANNEL
最大功率耗散（Abs）1.15 W
子類別FET通用電源
表面貼裝是