描述：AO8808A

雙N溝道增強模式場效應晶體管
AO8808A使用先進的溝槽技術來
提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和
柵極電壓低至1.8V時運行
保持12V VGS（MAX）額定值。 它具有ESD保護。
標準產品AO8808A無鉛（符合ROHS）
和Sony 259規格）。


特征：AO8808A
VDS（V）= 20V
ID = 7.9A（VGS = 10V）
RDS（ON）<14mΩ（VGS = 10V）
RDS（ON）<15mΩ（VGS = 4.5V）
RDS（ON）<20mΩ（VGS = 2.5V）
RDS（ON）<28mΩ（VGS = 1.8V）
ESD額定值：2000V HBM


詳細參數：AO8808A
參數名稱參數值
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明，
達到合規性
風險等級2.16
Samacsys描述雙N通道增強模式場效應晶體管TSSOP-8