描述：AOD240

40V N溝道MOSFET
AOD240使用Trench MOSFET技術
經過獨特的優化以提供最高效的
頻率切換性能。功率損耗為
由于以下因素的極低組合而最小化
RDS（ON）和Crss。此外，開關行為良好
由“肖特基風格”軟恢復體二極管控制


產品概要：AOD240
VDS
ID（在VGS = 10V時）70A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<3mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<3.9mΩ
經過100％UIS測試
已通過100％汞測試


詳細參數：AOD240
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明R-PSSO-G2
達到合規性
風險等級1.76
雪崩能效等級（Eas）231 mJ
外殼連接排水
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓40 V
最大電流（Abs）（ID）70 A
最大電流（ID）70 A
最大漏源導通電阻0.003Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
最大反饋電容（Crss）155 pF
JEDEC-95碼TO-252
JESD-30代碼R-PSSO-G2
濕度敏感等級1
元件數量1
端子數量2
工作模式
最高工作溫度175°C
最低工作溫度-55°C
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
極性/信道類型N-CHANNEL
最大功率耗散（Abs）150 W
最大脈沖電流（IDM）300 A
表面貼裝是
端子形式鷗翼
端子位置SINGLE
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON