描述：AO3407A

30V P溝道MOSFET
AO3407A使用先進的溝槽技術來
提供低柵極電荷的出色RDS（ON）。這個
該設備適合用作負載開關或PWM
應用程序。


產品概要：AO3407A
VDS
ID（在VGS = -10V時）-4.3A
RDS（ON）（在VGS = -10V時）<48mΩ
RDS（ON）（在VGS = -4.5V時）<78mΩ


詳細參數：AO3407A
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期不推薦
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明GREEN PACKAGE-3
針數3
達到合規性
ECCN代碼EAR99
風險等級7.99
Samacsys說明MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓30 V
最大峰值電流（Abs）（ID）4.3 A
最大短路電流（ID）4.3 A
最大漏源導通電阻0.048Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
最大反饋電容（Crss）90 pF
JESD-30代碼R-PDSO-G3
JESD-609代碼e3
濕度敏感等級1
元件數量1
端子數量3
工作模式
最高工作溫度150°C
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
極性/信道類型P-CHANNEL
最大功率耗散（Abs）1.4 W
認證狀態不合格
子類別其他晶體管
表面貼裝是
端子面層Matte Tin（Sn）
端子形式鷗翼
端子位置DUAL
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON