描述：AO3435

20V P溝道MOSFET
AO3435使用先進的溝槽技術來
提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和
在低至1.5V的柵極電壓下工作。 這個
該設備適用于降壓轉換器
應用程序。


產品概要：AO3435
VDS = -20V
ID = -3.5A（VGS = -4.5V）
RDS（ON）<70mΩ（VGS =-4.5V）
RDS（ON）<90mΩ（VGS = -2.5V）
RDS（ON）<110mΩ（VGS = -1.8V）
RDS（ON）<130mΩ（VGS = -1.5V）


詳細參數：AO3435
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期不推薦
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
達到合規性
風險等級8.01
配置單
最大飽和電流（Abs）（ID）2.9 A
場效應管技術金屬氧化物半導體
最高工作溫度150°C
暫未確定初始溫度（攝氏度）
極性/信道類型P-CHANNEL
最大功率耗散（Abs）1 W
子類別其他晶體管
表面貼裝是
未指定處于初始溫度下的最極端