描述：AO3419

20V P溝道MOSFET
AO3419使用先進的溝槽技術來提供
出色的RDS（ON），低柵極電荷和帶柵極工作
電壓低至2.5V。 該設備適合用作
負載開關的應用


產品概要：AO3419
VDS -20V
ID（在VGS = -10V時）-3.5A
RDS（ON）（在VGS = -10V時）<85mΩ
RDS（ON）（在VGS = -4.5V時）<102mΩ
RDS（ON）（在VGS = -2.5V時）<140mΩ

詳細參數：AO3419
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明GREEN PACKAGE-3
針數3
達到合規性
ECCN代碼EAR99
風險等級1.77
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓20 V
最大漏源導通電阻0.075Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
JESD-30代碼R-PDSO-G3
元件數量1
端子數量3
工作模式
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
暫未確定初始溫度（攝氏度）
極性/信道類型P-CHANNEL
認證狀態不合格
表面貼裝是
端子形式鷗翼
端子位置DUAL
未指定處于初始溫度下的最極端
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON