描述：AO3160
600V，0.04A N溝道MOSFETAO3160使用高級高壓制造
旨在提供高水平的MOSFET工藝
流行的AC-DC中的性能和魯棒性
應用程序。
通過提供低RDS（on），Ciss和Crss以及
該設備可以保證雪崩能力
快速采用新的和現有的離線電源
設計。
產品概要：AO3160
700V @ 150℃
ID（在VGS = 10V時）0.04A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<500Ω
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<600Ω
詳細參數：AO3160
參數名稱參數值
生命周期
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明，
達到合規性
風險等級1.62
