描述：AO3400

30V N溝道MOSFET
AO3400結合了先進的溝槽MOSFET
低電阻封裝技術提供
RDS（ON）極低。該設備適合用作
負載開關或在PWM應用中。


產品概要：AO3400
VDS
ID（在VGS = 10V時）5.8A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<28mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<33mΩ
RDS（ON）（在VGS = 2.5V時）<52mΩ


詳細參數：AO3400
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期不推薦
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明R-PDSO-G3
達到合規性
風險等級5.77
Samacsys描述30V N溝道MOSFET
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓30 V
最大振幅電流（ID）5.8 A
最大漏源導通電阻0.028Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
JESD-30代碼R-PDSO-G3
元件數量1
端子數量3
工作模式
最低工作溫度-55°C
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
暫未確定初始溫度（攝氏度）
極性/信道類型N-CHANNEL
表面貼裝是
端子形式鷗翼
端子位置DUAL
未指定處于初始溫度下的最極端
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON