描述：AO3424

30V N溝道MOSFET
AO3424使用先進的溝槽技術來提供
出色的RDS（ON），低柵極電荷和帶柵極工作
電壓低至2.5V。該設備適合用作
負載開關或PWM應用中。


產品概要：AO3424
VDS
ID（在VGS = 10V時）3.8A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<55mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<65mΩ
RDS（ON）（在VGS = 2.5V時）<85mΩ


詳細參數：AO3424
參數名稱參數值
是否無鉛不含鉛不含鉛
是否Rohs認證符合符合
生命周期不推薦
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明GREEN PACKAGE-3
針數3
達到合規性
ECCN代碼EAR99
風險等級7.98
使用內置二極管配置單個
最小漏源擊穿電壓30 V
最大短路電流（ID）3.8 A
最大漏源導通電阻0.055Ω
場效應管技術金屬氧化物半導體
最大反饋電容（Crss）25 pF
JESD-30代碼R-PDSO-G3
元件數量1
端子數量3
工作模式
封裝主體材料PLASTIC / EPOXY
封裝形狀矩形
封裝形式SMALL OUTLINE
暫未確定初始溫度（攝氏度）
極性/信道類型N-CHANNEL
表面貼裝是
端子形式鷗翼
端子位置DUAL
未指定處于初始溫度下的最極端
晶體管應用開關
晶體管元件材料SILICON