描述：AO3460

60V N溝道MOSFET
AO3460使用先進的溝槽技術來
提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和
在低至4.5V的柵極電壓下工作
SOT-23占用空間小。 可以廣泛使用
多種應用，包括負載切換，低
電流逆變器和低電流DC-DC轉換器。
它具有ESD保護。


產品概要：AO3460
VDS（V）= 60V
ID = 0.65A（VGS = 10V）
RDS（ON）<1.7Ω（VGS = 10V）
RDS（ON）<2Ω（VGS = 4.5V）
ESD保護


詳細參數：AO3460
參數名稱參數值
是否Rohs認證符合符合
生命周期已過時
IHS制造商ALPHA＆OMEGA SEMICONDUCTOR LTD
包裝說明，
達到合規性
風險等級8.6
配置單
最大飽和電流（Abs）（ID）0.65 A
場效應管技術金屬氧化物半導體
工作模式
最高工作溫度150°C
極性/信道類型N-CHANNEL
最大功率耗散（Abs）1.4 W
子類別FET通用電源
表面貼裝是