描述：AO4612
60V互補增強
模式場效應晶體管
AO4612使用先進的溝槽技術MOSFET提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 的互補MOSFET可用于H橋，逆變器及其他應用。

特征：AO4612
n通道p通道
VDS（V）= 60V -60V
ID = 4.5A（VGS = 10V）-3.2A（VGS = -10V）
RDS（開啟）RDS（開啟）
<56mW（VGS = 10V）<105mW（VGS = -10V）
<77mW（VGS = 4.5V）<135mW（VGS = -4.5V）
已通過100％汞測試

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO4612
描述MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述N-和-P-溝道-Mosfet-陣列-60V-4.5A-3.2A-2W-表面貼裝型-8-SOIC

一般信息：AO4612

數據列表AO4612;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
系列-

規格：AO4612

FET 類型N 和 P 溝道
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）4.5A，3.2A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）56 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）10.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）540pF @ 30V
功率 - 最大值2W
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝8-SOIC