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AO3422

發布時間:2021/1/7 20:45:00 訪問次數:154 發布企業:西旗科技(銷售二部)





描述:AO3422
N通道增強模式場效應晶體管
AO3422使用先進的溝槽技術提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。 它提供在2.5V至2.5V的寬柵極驅動范圍內運行12V 該設備適合用作負載開關。


特征:AO3422
VDS(V)= 55V
ID = 2.1A(VGS = 4.5V)
RDS(ON)<160mΩ(VGS = 4.5V)
RDS(ON)<200mΩ(VGS = 2.5V)


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO3422
描述MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-N-通道-55V-2.1A(Ta)-1.25W(Ta)-SOT-23-3L



一般信息:AO3422

數據列表AO3422;
SOT23 Pkg Drawing;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列-


規格:AO3422

FET 類型N 通道
技術MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)55V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)2.1A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)160 毫歐 @ 2.1A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)3.3nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)300pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝SOT-23-3L
封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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