描述：AON6407
30V P溝道MOSFET
AON6407結合了先進的溝槽MOSFET低電阻封裝技術提供RDS（ON）極低。 該設備是負載開關的理想選擇和電池保護應用。

產品概要：AON6407
VDS -30
ID（在VGS = -10V時）-85A
RDS（ON）（在VGS = -10V時）<4.5mΩ
RDS（ON）（在VGS = -6V時）<6.0mΩ
經過100％UIS測試
已測試100％Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AON6407
描述MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-P-通道-30V-32A（Ta）-85A（Tc）-7.3W（Ta）-83W（Tc）-8-DFN（5x6）

一般信息：AON6407

數據列表AON6407;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列-

規格：AON6407

FET 類型P 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）32A（Ta），85A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）4.5 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2.6V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）105nC @ 10V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）3505pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（最大值）7.3W（Ta），83W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝8-DFN（5x6）
封裝/外殼8-PowerSMD，扁平引線