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AO3420

發布時間:2021/1/7 20:46:00 訪問次數:172 發布企業:西旗科技(銷售二部)





描述:AO3420
20V N溝道MOSFET
AO3420使用先進的溝槽技術提供20V出色的RDS(ON),低柵極電荷和帶柵極工作電壓低至1.8V,同時保持12V VGS(MAX)
評分。 該設備適合用作單向或雙向負載開關。


產品概要:AO3420
VDS 20V
ID(在VGS = 10V時)6A
RDS(ON)(在VGS = 10V時)<24mΩ
RDS(ON)(在VGS = 4.5V時)<27mΩ
RDS(ON)(在VGS = 2.5V時)<42mΩ
RDS(ON)(在VGS = 1.8V時)<55mΩ


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO3420
描述MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 (MSL)1(無限)
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-N-通道-20V-6A(Ta)-1.4W(Ta)-SOT-23-3L


一般信息:AO3420

數據列表AO3420;
SOT23 Pkg Drawing;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列-


規格:AO3420

FET 類型N 通道
技術MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)6A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)24 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)8.8nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)630pF @ 10V
FET 功能-
功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝SOT-23-3L
封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


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