描述：AO4264E
60V N通道AlphaSGT TM
•Trench Power AlphaSGTTM技術60V
•低RDS（ON）
•低柵極電荷
•ESD保護


應用：AO4264E
•高效電源
•二次同步整流器


產品概要“AO4264E”
VDS 60V
ID（在VGS = 10V時）13.5A
RDS（ON）（在VGS = 10V時）<9.8mΩ
RDS（ON）（在VGS = 4.5V時）<13.5mΩ
典型的ESD保護
經過100％UIS測試
已測試100％Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO4264E
描述MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-N-通道-60V-13.5A（Ta）-3.1W（Ta）-8-SO

一般信息：AO4264E

數據列表AO4264E;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列AlphaSGT™

規格：AO4264E

FET 類型N 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）13.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）9.8 毫歐 @ 13.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）13nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1100pF @ 30V
FET 功能-
功率耗散（最大值）3.1W（Ta）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝8-SO
封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）