描述：STP10NK60ZFP
這些設備受N通道齊納保護功率MOSFET的開發使用意法半導體的SuperMESH™技術，通過優化ST完善的基于條帶PowerMESH™布局可以實現。 在除了可以大大降低導通電阻之外，該器件還可以確保最高的dv / dt能力苛刻的應用。
特性：STP10NK60ZFP
■極高的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■柵極電荷最小化
■齊納保護
應用領域：STP10NK60ZFP
■切換應用
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220FP-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續漏極電流:10 A
Rds On-漏源導通電阻:750 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:50 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:35 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:SuperMESH
封裝:Tube
高度:16.4 mm
長度:10.4 mm
系列:STP10NK60ZFP
晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET
類型:MOSFET
寬度:4.6 mm
商標:STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值:7.8 S
下降時間:30 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:20 ns
工廠包裝數量:1000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:55 ns
典型接通延遲時間:20 ns
單位重量:2.040 g
