描述：STP20NM60
MDmesh™是一種新的革命性力量MOSFET技術結合了多種公司的PowerMESH™進行排水過程水平布局。 所得產品具有出色的低導通電阻，令人印象深刻的高dv / dt和出色的雪崩特性。 的采用公司的專用帶技術產生整體動態性能明顯優于同類產品比賽的產品。
特性：STP20NM60
■高dv / dt和雪崩能力
■經過100％雪崩測試
■低輸入電容和柵極電荷
■低柵極輸入電阻
應用領域：STP20NM60
■切換應用
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續漏極電流:20 A
Rds On-漏源導通電阻:290 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
最小工作溫度:- 65 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:192 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:MDmesh
封裝:Tube
高度:9.15 mm
長度:10.4 mm
系列:STP20NM60
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:4.6 mm
商標:STMicroelectronics
下降時間:11 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:20 ns
工廠包裝數量:1000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:42 ns
典型接通延遲時間:25 ns
單位重量:1.438 g
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續漏極電流:20 A
Rds On-漏源導通電阻:290 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
最小工作溫度:- 65 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:192 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:MDmesh
封裝:Tube
高度:9.15 mm
長度:10.4 mm
系列:STP20NM60
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:4.6 mm
商標:STMicroelectronics
下降時間:11 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:20 ns
工廠包裝數量:1000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:42 ns
典型接通延遲時間:25 ns
單位重量:1.438 g
