描述：STP6NK60ZFP
SuperMESH™系列可通過以下方式獲得：對ST的完善進行了徹底的優化基于條帶的PowerMESH™布局。 此外大大降低導通電阻，特別注意確保良好的dv / dt最苛刻的應用程序的能力。
特性：STP6NK60ZFP
■極高的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■柵極電荷最小化
應用：STP6NK60ZFP
■切換應用
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220FP-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續漏極電流:6 A
Rds On-漏源導通電阻:1.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:30 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:SuperMESH
高度:9.3 mm
長度:10.4 mm
系列:STP6NK60Z
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.6 mm
商標:STMicroelectronics
下降時間:19 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:14 ns
工廠包裝數量:1000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:47 ns
典型接通延遲時間:14 ns
單位重量:330 mg
