描述：STP22NM60N
這些設備受N通道齊納保護功率MOSFET的開發使用意法半導體的SuperMESH™技術，通過優化ST完善的基于條帶的PowerMESH™布局可以實現。 在除了可以大大降低導通電阻之外，該器件還可以確保最高的dv / dt能力苛刻的應用
特性：STP22NM60N
■極高的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■柵極電荷最小化
■齊納保護
應用領域：STP22NM60N
■切換應用
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續漏極電流:16 A
Rds On-漏源導通電阻:200 mOhms
配置:Single
商標名:MDmesh
封裝:Tube
系列:STP22NM60N
晶體管類型:1 N-Channel
商標:STMicroelectronics
產品類型:MOSFET
工廠包裝數量:1000
子類別:MOSFETs
單位重量:330 mg
