描述：STP3NK90Z
這些高壓器件是齊納保護的N溝道功率MOSFET由意法半導體（STMicroelectronics）使用SuperMESH™技術開發，優化完善的PowerMESH™。 除了重大些器件旨在降低導通電阻，以確保高水平的dv / dt最苛刻的應用程序的能力。
特性：STP3NK90Z
•極高的dv / dt功能
•經過100％雪崩測試
•柵極電荷最小化
•極低的固有電容
•齊納保護
應用領域：STP3NK90Z
•切換應用
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:900 V
Id-連續漏極電流:3 A
Rds On-漏源導通電阻:4.8 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:22.7 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:90 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:SuperMESH
封裝:Tube
高度:9.15 mm
長度:10.4 mm
系列:STP3NK90Z
晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET
類型:MOSFET
寬度:4.6 mm
商標:STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值:2.7 S
下降時間:18 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:7 ns
工廠包裝數量:1000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:45 ns
典型接通延遲時間:18 ns
單位重量:1.438 g
