TAJC337K006RNJ_TAJC337K006RNJ導讀

NMOS集成電路是N溝道MOS電路，NMOS集成電路的輸入阻抗很高，基本上不需要吸收電流，因此，CMOS與NMOS集成電路連接時不必考慮電流的負載問題。

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TAJC227K006RNJ

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

MOS管和三極管類似，只不過 MOS管是壓控壓型（電壓控制），而三極管是流控流型（電流控制）。。至于MOS管的使用，N型與P型存在區別，對于應用，我們只需要知道： 1、對于N型MOS管，若G的電壓比S處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S（電壓方向D指向S）之間就會導通，此時D、S間相當于一個很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會截止，此時D、S間相當于一個很大的電阻，電流就無法流過。

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TAJV477M006RNJ

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

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NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。

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