可調的VREFDQ生成
s 1.2V偽開漏I/O
s在TC溫度范圍內8192循環刷新時間:
在-40°c至85°c時，n 64ms
n 32ms，溫度85i℃至95i℃
在50°c至1051°c下工作16ms
S 16家內部銀行(x4, x8): 4組，每組4家銀行
8個內部銀行(x16): 2組，每組4個銀行
S 8n位預取架構
可編程數據頻閃前奏
數據頻閃預處理訓練
命令/地址延遲(CAL)
s多用途寄存器讀寫能力
寫均衡
s自我刷新模式
低功耗自動刷新(LPASR)
s溫控刷新(TCR)
s細粒度刷新
自我刷新中止
s最省電
輸出驅動器校準
標稱，公園，和動態模端終止
(ODT)
數據總線的DBI (Data bus inversion)
s CA (Command/Address)校驗
數據寫入循環冗余校驗(CRC)
每個dram的可尋址性
s連通性測試
符合JEDEC jed -79-4標準
s的sPPR和hPPR能力
MBIST-PPR支持
