制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導通電阻: 52 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 108 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 780 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: 650V Ultra Junction X2
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 12 ns
正向跨導 - 最小值: 23 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 23 ns
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 63 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
單位重量: 6 g
IXTA8N65X2
IXTA8N70X2
IXTH12N65X2
IXTH12N70X2
IXTH20N65X2
IXTH24N65X2
IXTH34N65X2
IXTH48N65X2
IXTH62N65X2
