制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 30 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.7 V
Qg-柵極電荷: 180 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.04 kW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: 650V Ultra Junction X2
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 7 ns
正向跨導 - 最小值: 40 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 24 ns
25
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 83 ns
典型接通延遲時間: 59 ns
單位重量: 10 g
IXTT34N65X2HV
IXTU4N70X2
IXTU8N70X2
IXTX102N65X2
IXTX120N65X2
IXTY14N60X2
IXTY2N65X2
IXTY4N65X2
IXTY4N70X2
IXTY8N65X2
IXTY8N70X2
IXFA130N15X3
