銻化銦( InSb)光敏電阻為單晶半導體， GA9102-2MC光激發是本征型的。它主要用于探測大氣第二個紅外透過窗口，波長3—5斗m，常溫下長波限可達7.3¨m；冷卻到77K時，長波限為4.4斗m（主要是材料禁帶寬度變寬）。通常工作于低溫狀態，它也能做成元列陣。

   砷化銦( InAs)光敏電阻在制冷到196K時，長波限能達到4I.Lm．峰值波長3.2pm。

   雜質光電導檢測器

   雜質光電導檢測器是基于非本征光電導效應的光敏電阻。目前已制成許多鍺、硅及鍺硅金的雜質紅外光電導器件。它們都工作于遠紅外區8~ 40ym波段。

   由于雜質光電導器件中施主和受主的電離能AE -般比本征半導體禁帶寬度△E。小得多，所以響應波長比本征光電導器件要長。相比來說，雜質原子的濃度比材料本身原子的濃度要小很多，在溫度較高時，熱激發載流子的濃度很高，為使光照時在雜質能級上激發出較多的載流子，所以雜質光電導器件都必須工作于低溫狀態。

   多元系本征光電導檢測器

   大氣的第三個窗口(8~ 14¨m)透過率高。常溫下許多物體的輻射光譜峰值都在lOI.Lm左右，這是紅外遙感、紅外軍事偵察等儀器的主要工作波段，也是大功率C02激光器的工作波段。人們希望有工作于常溫或不很低的低溫，且D*又高的本征型光電導器件。根據本征光電導工作原理，適合于8~ 14 pdm波段的本征半導體材料的禁帶寬度應為0.09—0.05eV，但是已知所有單晶和化合物半導體材料中都不具有這么小的禁帶寬度。人們用多元化合物達到了這一目的。與單晶俸結構相同而禁帶寬度不同的二元化合物配制成適當組分的固溶體，如碲鎘汞( HgCd) Te和碲錫鉛(PbSn) Te就是這種本征光電導材料。