·PN結短路

   由于ESD引起PN結短路是常見的失效現象，HCPL-M600它是放電電流流經PN結時產生的焦耳熱使局部鋁一硅熔融生成合金釘穿透PN結造成的。耐放電能量與接觸孔大小、位置及面積有關。且反向放電時，電流集中在邊角處，功率密度較大，所以擊穿耐量比正向時低。

   ·互連線與多晶硅的損傷

   互連線通過電流的能力是其橫截面積的函數。當有過電流應力存在時，也會過熱而開路，這在厚度較薄的臺階處更易發生。在輸入保護結構中有多晶硅電阻時，靜電放電也會使多晶硅電阻燒毀，失效部位多發生在多晶硅條拐角處和多晶硅與鋁的接觸孔處，因為該接觸孔處電流多比較集中。互連線與多晶硅電阻、鍵合引線擴散區等之間因隔離介質（一般是S102層）擊穿放電而造成短路。

   ·柵氧擊穿

   若靜電使氧化層中的場強超過其臨界擊穿場強，將使氧化層產生擊穿，這在氧化層中有針孔等缺陷時更易發生。一般輸入端都接有保護結構，但由于保護電阻對ESD有延遲作用，便保護二極管的雪崩擊穿響應變慢，當ESD脈沖迅速上升時，ESD就直接施加到柵電極上引起柵氧擊穿。需要設計保護電阻以控制二極管開關速度。

   ESD發生的部位，多半是在器件易受靜電影響的部分，如輸入回路、輸出回路、電場集中的邊緣、結構上的薄弱處等，如細絲、薄氧化層、淺結、熱容量小的地方等。