絕緣門極雙極晶體管簡稱IGBT，將MOSFET和GTR的優點集于一身，既具有輸入阻抗高、速度快、R27V1652D熱穩定性好和驅動電路簡單的特點，又具有通態電壓低、耐壓高和承受電流大等優點，因此發展很快，備受青睞。在電動機控制、中頻和開關電源以及要求快速、低損耗的領域，IGBT有取代功率MOSFET和GTR的趨勢。

   IGBT的開通和關斷是由門極電壓來控制的。門極施以正電壓時，MOSFET內形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導通。在門極上施以負電壓時，MOSFET內的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT即為關斷。

   圖8-7為絕緣門極雙極晶體管IGBT的IXGH25N100屯路符號和外形。

   IGBT的非在路檢測用數字萬用表的“二極管”擋來測量PN結正向壓降進行判斷。對于數字萬用表，正常情況下，IGBT管的C-E極間正向壓降約為0.5V，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測的讀數均為無窮大，如圖8-8所示。如果測得IGBT管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測得IGBT管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際工作中IGBT管多為擊穿損壞。