工藝流程舉例闡述了這4種最基本的工藝方法是如何應用到制造一個具體的晶體管結構的。 STM32F103VET6電路所需的其他元件（二極管、電阻器和電容器）也同時在電路的不同區域上構成。比如說，在這個工藝流程下，電阻的圖形和晶體管源／漏極圖形同時被添加在晶圓E。隨后的擴散工藝形成源極／柵極和電阻。對于其他形式的晶體管，如雙極型和硅柵MOS晶體管，也同樣是由這4種最基本的工藝方法加工而成的，不同的只是所用材料和藝流程不同。

   總體來說，在制造工藝的前…部分將電路元件形成．被稱為前端工藝線( FEOI。)；在制造工藝的后一部分將連接電路元件的各種金屬化層加到晶圓表面，這一部分被稱為后端I：藝線( BEOI．)。

   現代芯片結構比上述敘述的簡單工藝復雜許多倍。它們有多薄膜層和摻雜區，以及表面的數層，包括散布在介質層中間的多層導體層。

   實現這些復雜的結構要求許多工藝。換言之，每一個工藝要求數個步驟和子步驟。實際仁64CJb CMOS器件的工藝町能需要180個主要步驟、52個清洗／剝離步驟以及多達28塊掩模版1；。所有這些主要步驟也是這4種基本T．藝之一、

   當產業界的柵條寬度達到幾個原子和電路上堆疊金屬的水平時，工藝步驟將達500步或更多.