這5種污染物在以下3個特定的功能領域對工藝過程和器件產生影響它們是：

   1.器件工藝良品率

   2．器件性能

   3．器件可靠性

   器件工藝良品率：STP75NF75在一個污染環境中制成的器件會引起多種問題。污染會改變器件的尺寸，改變表面的潔凈度，和／或造成有凹痕的表面。在晶片生產的過程中，有一系列的質囂檢驗和檢測，它們是為檢測出被污染的晶圓而特殊設計的。高度的污染使得僅有少量的晶圓能夠完成全工藝過程，從而導致成本升高（見第6章）。

   器件性能：一個更為嚴重的問題是在工藝過程中漏檢的小污染。在工藝步驟中的不需要的化學物質和AMC可能改變器件尺寸或材料質量。在晶圓中高濃度的可移動離子污染物口r能會改變器件的電性能。這個問題通常是在晶圓制造工藝完成后的電測試（也稱為晶圓或芯片揀選）中顯現出來的（見第6章）。

   器件可靠性：最令人擔心的莫過于污染對器件可靠性的失效影響。小劑董的污染物町能會在1-藝過程中進入晶圓，而未被通常的器件測試檢驗出來。然而，這砦污染物會在器件內部移動，最終停留在電性敏感區域，從而引起器件失效。這一失效模式成為航天工、Ik和國防1二業的首要關注點。

   在這一章的余下部分，將討論對半導體器件生產中產生影響的各類污染的來源、性質及其控制。隨著20世紀70年代LSI電路的出現，污染控制成為這一產業的基本問題。從那時起，大量的關于污染控制的認識逐漸發展起來。如今污染的控制本身已成為一學科，是制造固態器件必須掌握的關鍵技術之一。

   在這一章中，討論的污染控制問題適用于芯片生產區域、掩膜生產區域、芯片封裝區域和其他…些生產半導體設備和材料的區域。