標來衡量：

  1．純度

  2．水氣含量

  3．微粒

  4．金屬離子

   所有工藝氣體都要求極高的純度，HPA02163RGER用于氧化、濺射、等離子刻蝕、化學氣相沉積( CVD)、反應離子刻蝕、離子注入和擴散等工藝的氣體也有特殊要求。所有涉及化學反應的1：藝都需要能量。如果工藝氣體被其他氣體污染，則預期的反應就會產生顯著改變，或者在晶圓表面的反應結果也產生改變。例如，一罐濺射工藝用氬氣里如果有氯雜質，就會導致生成的濺射薄膜有影響器件質量的惡果。氣體純度由成分數表示，純度·般從99. 99%到99. 999 999%，取決于氣體本身和該氣體在工藝中的用途。純度由小數點右邊9的個數表示，最高純度級別可為“6個9純度”22‘。

   保持氣體從生產商到工藝工作臺過程中不變的純度是對晶圓制造廠的一個挑戰。從生產源開始，氣體要通過管道系統、帶有氣閥與流量表的氣柜，然后接入設備。這整個系統中的任何一部分的泄漏都是災難性的。外部氣體（特別是氧氣）進入工藝氣體參加化學反應，就改變了反應氣體的成分，也改變了期望的化學反應。氣體的污染還可以由系統本身散氣而產生。一個典型的系統設有不銹鋼管道與閥門，還有聚酯材質的部件，如接頭與密封件。對于超級潔凈系統，不銹鋼表面還必須經過電子拋光和（或）用真空雙層保護表面內部的熔接點以減少散氣23。另一種技術就是在表面生長一層氧化鐵膜，以進一步減少散氣。這種技術一般稱為氧氣鈍化( Oxygen Passivation，OP)．，要避免使用聚酯物質。氣體柜的設計減少了可堆積污染的死角。另外潔凈焊接工藝的使用也非常重要，杜絕了焊接氣體被吸入氣體管道．、

   水氣的控制也是非常重要的。水蒸氣是一種氣體，與其他污染氣體一樣，也會參與不需要的反應。在晶圓制造廠中加I晶圓時帶有水氣是個特別問題。當有氧氣或水分存在時，硅很容易被氧化。所以控制不需要的水氣對阻止硅表面的氧化是非常重要的。水氣的上限一般是3～5 ppm。