從表中的數據可以看出晶圓電測良品率是3個良品率點中最低的，這就是 K4D263238I-VC50為什么會有許多致力于提高晶圓電測良品率的計劃。有一段時間晶圓電測良品率的提升對生產率的提高產生最大的影響。更大和更復雜的芯片（如兆位級的存儲器）的出現使得如設備持有成本（見第15章）等其他因素被加入到提高生產率的范疇。百萬級芯片時代要求的成功是晶圓電測良品率需要在90%昀范圍9。

  學習完本章后，你應該能夠：

  1．指出3個工藝良品率的主要測量點。

   2．解釋晶圓直徑、芯片尺寸、芯片密度、邊緣芯片數量和制程缺陷密度對晶圓電測良品率的影響。

   3．通過單步工藝制程良品率來計算出累積晶圓生產良品率。

   4．解釋及汁算整體工藝良品率。

   5．對影響制造良品率的4個主要方面做出解釋。

   6．建立良品率相對時間的曲線來反映不同工藝和電路的成熟程度。

   7．解釋高水平工藝良品率和器件可靠性之間的聯系。