除了顆粒和污點的物理污染以外，氧化膜應該將可移動離子污染量減到最小。OPA343NA/250這些叮以用復雜的電容一電壓( C/V)技術來檢測，這種技術檢測氧化層中可移動離子的總數，但它不能確定這些污染的來源，這螳污染也許來自爐管、氣體、晶圓或清洗工藝。此，C/V分析僅是一個晶圓合格／不合格的指標，是對整個爐管操作的檢驗。

   在大多數制造生產線上，C/V分析也用來確認爐管及相關部件的潔凈度。一個低的可移動離子污染的氧化膜意味著整個系統是潔凈的。當氧化膜不能通過這一測驗規定的標準時需要進一步調查來確定其污染來源，，

   第二個與氧化膜清潔有關的參數是介電強度。這一參數通過對氧化層的破壞性測試來測量氧化層的介電特性（非導電）．，

   第三個潔凈度因素是氧化層的折射率。折射是光線通過透明物質時產生的彎曲現象∥一種物體的底部在水中的實際位置與其外觀L_看到的位置不同就是一個典型的例子。純氧化膜的折射率是1. 46。這一數值的變化反映了氧化層不純的程度。折射率常數是許多應用干涉原理測量厚度技術的基礎。參數的變化會導致錯誤的測量結果。折射率用干涉祁橢圓偏光法技術來測量（見第14章）。

   不同氧化工藝的組成可以安排成一個組合形式( clusterarrangement)（見第15章）。