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列出在熱氧化反應中的兩種氧化劑

發布時間:2015/10/29 20:36:08 訪問次數:1150

   學習完本章后,你應該OTI002153能夠:

   1.列出硅器件中,二氧化硅膜層的3種基本用途。

   2.描述熱氧化機制。

   3.概略了解和諷別反應爐的基本結構組成。

   4.列出在熱氧化反應中的兩種氧化劑。

   5.簡略畫出干氧化反應的系統圖。

   6.畫出一個典型的氧化工藝流程圖。

   7.解釋在二氧化硅膜層經過熱生長形成膜層厚度里的反應時間、壓力及溫度之間的相互關系。

   8.描述快速熱氧化、高壓氧化、陽極氧化的反應原理及用途。

參考文獻

   [1 ]  Cleasvelin, C. R., Columbo, L., Nimi, H., and Pas, S., Oxidation, an,d Cate Dielectric.s, Han,dbook ofSemicon,ductor Man,ufacmrin,g  Techrzology,2nd  ed. ,2008 , CRC  Press , New  York , NY : 9-I .[2]  Hu, C., "MOSFET Scaling in the Next Decade and Beyond," Semicon,du,ctor In,ternation,al, Cahners

      Publishing,Jun. 1994:105.

[ 3 ]   Wolf, S., and  Tauber, R.,.S///con  Processin.g for the.  VLSI  Era ,1986 , Lattice  Press , Sunset  Beach , CA : 1986.

[4 ]  Cise, P., and  Blanchard, R., Modern, Semicon,du.ctor Fabrication,  Techn,ology, 1986, Reston  Books, Reston,

          VA :43.

[ 5 ]   Sze , S.  M., VLSI  Techn.ology,1983 , McGraw-Hill  Book  Company , New  York , NY :137.


   學習完本章后,你應該OTI002153能夠:

   1.列出硅器件中,二氧化硅膜層的3種基本用途。

   2.描述熱氧化機制。

   3.概略了解和諷別反應爐的基本結構組成。

   4.列出在熱氧化反應中的兩種氧化劑。

   5.簡略畫出干氧化反應的系統圖。

   6.畫出一個典型的氧化工藝流程圖。

   7.解釋在二氧化硅膜層經過熱生長形成膜層厚度里的反應時間、壓力及溫度之間的相互關系。

   8.描述快速熱氧化、高壓氧化、陽極氧化的反應原理及用途。

參考文獻

   [1 ]  Cleasvelin, C. R., Columbo, L., Nimi, H., and Pas, S., Oxidation, an,d Cate Dielectric.s, Han,dbook ofSemicon,ductor Man,ufacmrin,g  Techrzology,2nd  ed. ,2008 , CRC  Press , New  York , NY : 9-I .[2]  Hu, C., "MOSFET Scaling in the Next Decade and Beyond," Semicon,du,ctor In,ternation,al, Cahners

      Publishing,Jun. 1994:105.

[ 3 ]   Wolf, S., and  Tauber, R.,.S///con  Processin.g for the.  VLSI  Era ,1986 , Lattice  Press , Sunset  Beach , CA : 1986.

[4 ]  Cise, P., and  Blanchard, R., Modern, Semicon,du.ctor Fabrication,  Techn,ology, 1986, Reston  Books, Reston,

          VA :43.

[ 5 ]   Sze , S.  M., VLSI  Techn.ology,1983 , McGraw-Hill  Book  Company , New  York , NY :137.


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