硅化學源：硅烷( SiH。)是第二種常用的硅源。硅烷具有不需要第二種反應氣體的優點。 HCPL-0611它是通過受熱分解產生硅原子的。反應溫度比SiCl。的反應溫度低幾白‘攝氏度，在自動摻雜和晶圓彎曲等方面極具吸引力。硅烷也不會產生圖形偏移（見下文“外延膜的質量”）。遺憾的是，硅烷在反應時，反應氣體遍及整個反應室內，形成粉末狀的薄膜而污染晶圓。作為反應源，硅烷在多晶硅和二氧化硅的淀積中有著更多的應用。

   二氯二氫硅化學源：二氯二氫硅( SiH2 Cl2)也是一種用于薄外延膜的低溫硅源：較低的溫度可減少自動摻雜和在前步工藝擴散埋層中的固態擴散，并提供更加一致的晶體結構。

   外延薄膜摻雜：外延薄膜的優點之一就是通過工藝達到精細的摻雜和對摻雜范圍的控制。晶圓制造時，其濃度可達到約l0'3~ 10'9原子／CIT13。外延膜的生長可以從l0'2原子／CIT13到1020原子／CIT13，其上限接近磷在硅中的固態溶解度。，

   薄膜的摻雜是通過將摻雜氣流添加到淀積反應物中的方式獲取的。糝雜氣體源完全與淀積摻雜反應爐內使用的化學物和輸送系統相同。實際效果是CVD淀積反應室轉換成摻雜反應爐。在反應室內，摻雜劑與生長膜相融合，并確定所需的電阻。N型和P型膜能夠在N型或P型晶圓上生長。雙極技術中的傳統工藝生長的外延膜是在P型晶圓上進行N型外延膜生長的。