雙大馬士革銅工藝
發布時間:2015/11/9 19:43:11 訪問次數:1630
從鋁到銅金屬化的轉變不是一個簡單的材料轉換。銅有其自身的一系列問題和挑戰。AD8007AKSZ-R2它不容易用濕法和干法技術刻蝕。銅與硅有大的接觸電阻。它容易擴散穿透二氧化硅,并進入硅結構。在那里,它能使器件性能退化并產生結漏電問題。銅不能很好地黏附在二氧化硅表面,會引起結構問題。這些挑戰導致了獨特的、高產能的工藝開發,該工藝專門用于克服銅的問題。它的特點包括光刻工藝、低丘阻擋層或襯墊層工藝的開發、銅電鍍和化掌機械拋光丁藝。
第10章介紹了基本的大馬士革工藝。大馬士革工藝的概念很簡單。首先用光刻工藝在介質層表面形成一個溝槽,并在溝槽里淀積所要的金屬。一般情況下,淀積的金屬會溢出溝槽,這就需要CMP r藝來再次使表面平坦化(見圖I3. 16)、因為溝槽寬度限定了金屬寬度,這個T藝可以實現優異的尺寸控制。它消除J'接F來金屬淀積的典型金屬刻蝕工藝所帶來的差異。
從鋁到銅金屬化的轉變不是一個簡單的材料轉換。銅有其自身的一系列問題和挑戰。AD8007AKSZ-R2它不容易用濕法和干法技術刻蝕。銅與硅有大的接觸電阻。它容易擴散穿透二氧化硅,并進入硅結構。在那里,它能使器件性能退化并產生結漏電問題。銅不能很好地黏附在二氧化硅表面,會引起結構問題。這些挑戰導致了獨特的、高產能的工藝開發,該工藝專門用于克服銅的問題。它的特點包括光刻工藝、低丘阻擋層或襯墊層工藝的開發、銅電鍍和化掌機械拋光丁藝。
第10章介紹了基本的大馬士革工藝。大馬士革工藝的概念很簡單。首先用光刻工藝在介質層表面形成一個溝槽,并在溝槽里淀積所要的金屬。一般情況下,淀積的金屬會溢出溝槽,這就需要CMP r藝來再次使表面平坦化(見圖I3. 16)、因為溝槽寬度限定了金屬寬度,這個T藝可以實現優異的尺寸控制。它消除J'接F來金屬淀積的典型金屬刻蝕工藝所帶來的差異。
上一篇:低k介質材料
熱門點擊
- 芯片和晶圓尺寸的增大
- 雙大馬士革銅工藝
- 電纜各支持點間的距離
- PE線的重復接地可以降低當相線碰殼短路時的設
- 四探針測試儀測量厚度
- 電壓損失是指線路始端電壓與末端電壓的代數差
- TT系統內的漏電保護器
- TN-C方式供電系統是用工作零線兼作接零保護
- 硅濕法刻蝕
- 退火和雜質激活
推薦技術資料
- 硬盤式MP3播放器終級改
- 一次偶然的機會我結識了NE0 2511,那是一個遠方的... [詳細]