摻雜型電阻器：集成電NCP4894DMR2G路中的大多數電阻器都是由氧化、掩膜和摻雜工藝順序生成的（見圖16.2）。在氧化層表面生成一個圖形。典型的電阻器是啞鈴形的（見圖16.3）。兩端的矩形作為接觸區，中間細長的部分起到電阻器的作用。用這個區域的方塊電阻和其所包含的方塊的數量就可以計算出這個區域的阻值。方塊的數量等于電阻區域的長度除以寬度。

   在摻雜和隨后的再氧化工藝結束后，兩端的矩形區域刻蝕出接觸孔以便將電阻器連接到電路中。一個電阻器有兩個接觸點，是沒有結的器件。術語no-junction的含義是電流在兩個接觸區之間流動，而沒有穿越NP結或PN結。然而結可以起到限制流經電阻區域電流的作用。

   由離子注入進行摻雜而生成的電阻器比那些在擴散區域生成的電阻囂的阻值更容易控制。摻雜型電阻器可以在整個制造工藝中的任何一個摻雜步驟中生成。一個基于雙極型的掩膜就會有基本圖形和一套電阻器的圖形。在MOS電路生成源極和漏極的摻雜步驟中，同時也生成電阻器。電阻器的摻雜參數（方塊電阻、深度和摻雜量）與晶體管是一樣的。在這些方案中，晶圓上其他所有芯片器件（層）被做完后，形成電阻器的接觸孔。